金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“超级结MOS器件的制造方法”的专利，公开号CN119894027A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超级结MOS器件的制造方法。该方法包括：提供半导体基层，半导体基层包括基底层和第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上通过硬掩模层定义出超级结图案；基于超级结图案刻蚀外延层，在第一导电类型外延层中形成深沟槽；去除硬掩模层；通过外延填充工艺向深沟槽中填充形成第二导电类型外延层，第二导电类型外延层填充满深沟槽并超出深沟槽，反包在第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延反包层；制作形成沟槽栅，沟槽栅从第二导电类型外延反包层上向下延伸至第一导电类型外延层中；向第二导电类型外延反包层中注入第二导电类型杂质，使得第二导电类型外延反包层形成第二导电类型体区。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2910次，专利信息1619条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目856次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
本文源自：金融界
